2月25日，韩媒ZDNET Korea报道称，三星电子和SK海力士等韩国内存公司计划将混合键合技术应用于下一代NAND，该技术正来自于中国的长江存储。这意味着，只有获得长江存储的许可三星和SK海力士才能开发超过400层的存储器。
针对上述信息，笔者联系三星和长江存储方面，截至发稿时双方尚未回应。国产存储芯片厂商相关人士则表示，此次三星、SK海力士跟进的背后，主要原因在于涉及到长江存储在混合键合技术的专利。
该人士进一步表示，目前，存储芯片领域主要分为NAND和DRAM两种技术路径。其中，NAND的技术演进方向主要是不断提高堆叠层数。当3D NAND闪存芯片的堆叠层数从300层提高到400层时，传统技术路径遭遇物理极限。三星此前采用的COP架构将外围电路与存储单元集成于同一晶圆，随着层数增加，底层电路承受的机械压力骤增导致出现可靠性下降和散热难题。而长江存储的Xtacking架构通过晶圆键合技术成为突破400层堆叠的核心解决方案。
另据韩媒ZDNET Korea报道，中国长江存储以“Xtakeking”的名义抢先量产混合键合技术已有大约四年的时间。此前，长江存储曾使用Xstacking技术量产160层、192层和232层等产品，这表明其已经实现了混合键合的技术稳定性。
三星电子之所以与长江存储签署混合键合许可协议，是因为长江存储在技术上难以规避专利。三星评估发现，其V10、V11及后续产品开发几乎无法规避长江存储的专利网络，选择授权成为唯一可行路径。然而，三星需改造产线并新增设备投资，导致其制造成本较长江存储高出10%-15%。
事实上，过去全球存储芯片市场长期被三星、SK海力士、美光垄断，但在技术升级和政策支持下，诸如长江存储、紫光集团、华为海思、新存科技等国产厂商开始加速布局，全球存储芯片市场呈现出多元化发展的趋势。一方面，从综合角度来看，传统存储巨头如三星、SK海力士、美光等依然保持领先地位；另一方面，国产存储芯片厂商开始通过技术升级、专利布局等逐渐在全球市场中崭露头角。特别是在消费电子领域，国产存储芯片的装机量明显上升。
“以手机为例，现在消费者所熟知的国产品牌都在采购国内生产的存储芯片，而以往这部分多为进口。”上述国产存储芯片相关人士表示。
值得注意的是，伴随着AI时代的到来，市场对存储芯片的要求从消费电子领域转向高端服务器。
从技术路线来看，NAND具备断电后数据保留、高密度、低成本的特点，尤为适用于存储海量的数据集，满足了AI模型训练时的数据存储需求。不过，由于人工智能数据中心所需固态硬盘换新的需求降低，致使存储芯片厂商开始减少产能，并将目光转向了高速度、低延迟的DRAM。
“AI训练过程中需要处理海量且对延迟极为敏感的数据，这使得HBM成为了高端GPU和TPU的标配。”国产存储芯片相关人士表示，简单来说，HBM能够直接支持AI算力，而HBM则是以DRAM为基础。相较于NAND，DRAM的技术难度更高，因此市场越来越关注HBM和DRAM。聚焦国内市场，包括紫光集团、长鑫存储等在内的存储芯片厂商都在加速研发DRAM芯片。
不过，与GPU、CPU等芯片类似，存储芯片同样面临着生态挑战。目前，存储芯片的EUV光刻机、原子层沉积设备等仍依赖ASML、应用材料等国际供应商，在大环境不确定的背景下依然面临挑战，同时，海外厂商的“技术联盟+价格战”压制也在冲击着国产厂商的市场份额。
国产存储芯片相关人士认为，未来存储芯片市场将演变为专利、产能、生态的全面比拼。在存储芯片行业，每个产品都存在多种发展路径，而要想真正实现成本降低、效率提升，并走上规模化发展的快车道，各企业只有各展所长，各施其策。
