8 月1日，英诺赛科（02577.HK）突然放量拉升，股价一路飙升至57.6港元/股，单日涨幅高达30.91%，成交42.38亿港元。随后五个交易日，市场情绪持续发酵。截至8月7日收盘，英诺赛科报66.3港元/股，总市值592.99亿港元，五个交易日累计涨幅高达50.68%，成为近期港股半导体板块最热门的标的。
二级市场火爆的背后与英伟达不无关系。近期，在AI数据中心800 VDC供电架构合作名单中，英诺赛科成为唯一入选的中国芯片公司，与英飞凌、纳微半导体等国际巨头并列。
英诺赛科公告称，将用第三代GaN（氮化镓）器件为英伟达新一代800 VDC供电架构提供全链路电源解决方案，从而推动AI数据中心从千瓦级跃升到兆瓦级。而在股价飙涨前一周，英诺赛科刚刚完成5.4亿港元配售以支持产品迭代。多重消息叠加，让资金蜂拥而至。
在第三代半导体赛道，GaN被视作继硅、碳化硅之后的新战场。国内数据中心相关人士告诉笔者，从技术来看，800 VDC+GaN是目前国内最好的水平。随着大模型参数规模指数级增长，AI算力需求激增，传统数据中心供电架构已无法满足需求。800 VDC即800伏直流电压，GaN作为第三代半导体材料，具备高电子迁移率、高耐压、低导通损耗的特性，特别适合高频、高压应用。二者组合能够降低数据中心的电能损耗、散热需求等。
具体到英诺赛科，其主要布局8英寸GaN晶圆。目前，全球主流产线仍为6英寸，英诺赛科是唯一一家可量产8英寸GaN晶圆的企业，且具备从设计、制造，到封测一体化的能力。根据此前招股书披露，截至2024年6月30日，苏州英诺赛科半导体生产基地已成为全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造厂。另据公开报道，英诺赛科仍在扩产。英诺赛科曾计划将当前每月13000片的产能提升至2025年底的20000片，长远目标是未来五年内将月产能进一步扩大至70000片。
从市场需求来看，英诺赛科的产品不仅能够应用在数据中心，还可用于消费电子、新能源车等领域。结合招股书及2024年财报数据，目前，英诺赛科呈营收连年增长，亏损逐步收窄的趋势。
数据显示，2022年、2023年、2024年，英诺赛科总营收分别为1.36亿、5.93亿、8.28亿元，同期净亏损为22.05亿、11.02亿、10.46亿元。其中，2024年，英诺赛科车规芯片交付量同比增长986.7%，AI及数据中心芯片交付量同比增长669.8%。
然而，市场潜力逐步显现的同时，专利战却愈演愈烈。从英伟达名单来看，同样布局800VDC GaN领域的还有英飞凌和纳微半导体。其中，英飞凌曾在美国、德国向英诺赛科发起侵权诉讼。
根据英诺赛科招股书显示，英飞凌分别于2024年3月、6月、7月，在美国加州北区地方法院、慕尼黑第一地区法院及美国加州北区地方法院起诉英诺赛科，指控其侵犯四项氮化镓专利。彼时，英诺赛科认为胜诉概率高，且潜在经济损失极小。
8月1日，德国慕尼黑地方法院就英飞凌科控告英诺赛科关于GaN技术专利侵权的一审判决中判定英飞凌胜诉。这意味着，英诺赛科将被禁止在德国制造、销售相关产品，并需支付赔偿。不过，这一市场格局正在发生变化。公开报道显示，2025年二季度，英诺赛科被新授予的GaN专利数量占比达3%，与西安电子科技大学并列全球第一，而英飞凌同期有大量专利到期失效。
对于由专利战的影响以及未来布局，笔者联系英飞赛科方面，截至发稿时，对方尚未回应。
值得一提的是，除了专利，台积电的关厂消息也直接利好英诺赛科。富瑞发布最新报告显示，台积电2026年关闭氮化镓代工产能会把同为英伟达供货商的纳微推向缺货风险，而拥有自建8英寸晶圆厂的英诺赛科反而因此受益。
据富瑞估算，AI服务器氮化镓市场2027年起每年至少15-25亿美元，若英诺赛科拿下50%份额，上周五股价大涨只折算了5倍PE的潜在利润，未来还有巨大上涨空间，但短期也可能继续获利回吐。
